vacuum (1) 썸네일형 리스트형 플라즈마 표면처리 공정 기준으로 본 ICP와 CCP 식각장비 비교 반도체 같은 비교적 정밀성을 요구하는 식각장비를 검토하다 보면 ICP 방식과 CCP 방식이라는 용어를 자연스럽게 접하게 됩니다. 두 방식은 같은 목적을 향하지만, 에너지를 전달하는 구조와 공정 성향에서는 분명한 차이를 보입니다. 이 글에서는 구조적 차이와 운용 관점에서의 특징을 중심으로, 두 방식이 어떤 환경에서 각각 적합한지를 정리하겠습니다. 1. 표면처리에 있어 식각장비가 필요한 이유 산업 공정에서 표면 상태는 최종 품질에 직접적인 영향을 미칩니다. 접착 불량이나 코팅 박리 문제의 상당수는 소재 자체보다 표면 조건에서 발생합니다. 이러한 문제를 개선하기 위해 표면의 반응성을 높이거나 오염 요소를 제거하는 공정이 적용되며, 이 과정의 안정성과 균일성이 장비 성능을 판단하는 기준이 됩니다. 2. ICP .. 이전 1 다음
